Por Ruth Pimentel

La compañía anuncia que revolucioná el mundo de los semiconductores con un
nuevo descubrimiento que podría mejorar la capacidad de integración de la
memoria de sus microprocesadores.

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IBM ha anunciado recientemente que podría triplicar la capacidad de memoria
de los chips y duplicar su rendimiento gracias a un descubrimiento que
elimina el cuello de botella que supone el sistema de memoria actual.

Mediante una combinación de las tecnologías SRAM y DRAM, el fabricante
acaba de presentar un circuito DRAM desarrollado en SoI -silicio sobre
aislante- lo bastante rápido para ser explotado en memoria caché.

Hasta ahora, la memoria basada en la tecnología SRAM (Static Random-Acces
Memory) necesita seis transistores para almacenar un bit, mientas que la
DRAM (Dynamic Random-Access Memory) sólo requiere un transistor y un
condensador, aunque es demasiado lenta para ser adaptada a una caché.

Así, mientras que una memoria DRAM tradicional transfiere un bit de datos
en entre 10 y 12 nanosegundos, y una SRAM realiza la misma operación en
entre 0,8 y 1 nanosegundo, la nueva DRAM presentada por IBM ofrece
rendimientos del orden de 1,5 nanosegundos, lo que supone una mil
millonésima parte de un segundo.

Con un rendimiento como éste, es posible almacenar en la misma superficie
tres veces más de datos en DRAM de nueva generación que en SRAM, con una
complejidad y un precio de fabricación inferiores a ésta.

Fuente original

http://www.siliconnews.es/es/silicon...plicar-memoria



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El día que Pablo Lleó Gárcia deje de hacer el imbécil en los foros técnicos
de MS y de falsificar a la gente, yo dejaré de cantaros las 40 aquí. Hasta
el momento soy comedido: solo pongo los mismos mensajes, copiados, que Pablo
ha puesto allí y segun los va poniendo. Por tanto, ya sabeis quien es el
culpable. Y por cierto, los pongo por ahora aquí sin hacer el crossposting
que él hace en MS. Y digo "por ahora".